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Référence fabricant | CIGT252008LM2R2MNE |
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Numéro de pièce future | FT-CIGT252008LM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGT |
CIGT252008LM2R2MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2A |
Courant - Saturation | 2.1A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 97 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.032" (0.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252008LM2R2MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGT252008LM2R2MNE-FT |
CIH05T6N8JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05TR10JNC
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel