maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIGT201608EM1R5SNE
Référence fabricant | CIGT201608EM1R5SNE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CIGT201608EM1R5SNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGT |
CIGT201608EM1R5SNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | - |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.032" (0.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201608EM1R5SNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGT201608EM1R5SNE-FT |
CIG22B4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252012LMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010EH1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252007LM2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252008LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
XC4VFX100-10FF1517C
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel