maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / CDC7630-000
Référence fabricant | CDC7630-000 |
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Numéro de pièce future | FT-CDC7630-000 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDC7630-000 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 2V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | - |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 75mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TA) |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Chip |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDC7630-000 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDC7630-000-FT |
BAT1505WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1505WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1704WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1705WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1706WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6804WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAT6806WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6806WH6327XTSA1
Infineon Technologies
STDD15-05WFILM
STMicroelectronics
BA679-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP3C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FBV676I
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PE1500-2FGG484
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100T
Microsemi Corporation
EP3C10U256A7N
Intel
10AX027E4F29I3SG
Intel
10AX115S3F45E2LG
Intel