maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT6806WH6327XTSA1
Référence fabricant | BAT6806WH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT6806WH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT6806WH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 1 Pair Common Anode |
Tension - Inverse de crête (Max) | 8V |
Courant - Max | 130mA |
Capacité @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 10 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Dissipation de puissance (max) | 150mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT323-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT6806WH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT6806WH6327XTSA1-FT |
HSMS-2802-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2803-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2803-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2803-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2804-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2804-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2804-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2810-BLKG
Broadcom Limited
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
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Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel