maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / CDBHM120L-G
Référence fabricant | CDBHM120L-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBHM120L-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBHM120L-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Schottky |
Tension - Inverse de crête (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 20V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-269AA, 4-BESOP |
Package d'appareils du fournisseur | MBS |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBHM120L-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBHM120L-G-FT |
DD104N18KHPSA1
Infineon Technologies
0546260000
Weidmüller
8022051001
Weidmüller
GBJ1004-F
Diodes Incorporated
GBJ25005-F
Diodes Incorporated
GBJ2502-F
Diodes Incorporated
GBJ3510-F
Diodes Incorporated
GBJ8005-F
Diodes Incorporated
GBPC15005-G
Comchip Technology
GBPC15005W-G
Comchip Technology
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel