maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ2502-F
Référence fabricant | GBJ2502-F |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ2502-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ2502-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2502-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ2502-F-FT |
SC3BH2F
Semtech Corporation
SC3BH4
Semtech Corporation
SC3BH4F
Semtech Corporation
SC3BH6F
Semtech Corporation
SC3BJ05F
Semtech Corporation
SC3BJ05FF
Semtech Corporation
SC3BJ10FF
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SC3BJ15FF
Semtech Corporation
SC3BJ1F
Semtech Corporation
SC3BJ2
Semtech Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
10M50DAF484C6GES
Intel
5SEE9F45C2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
EP4SE360F35I4
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XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
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LFE2-70SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672C
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