maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / CD410830
Référence fabricant | CD410830 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CD410830 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CD410830 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Series Connection |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 90A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4mA @ 800V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | POW-R-BLOK™ Module |
Package d'appareils du fournisseur | POW-R-BLOK™ Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD410830 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CD410830-FT |
MUR30040CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR30060CT
GeneSiC Semiconductor
MUR30060CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR40005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR40005CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR40010CT
GeneSiC Semiconductor
MUR40010CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR40020CT
GeneSiC Semiconductor
MUR40020CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR40040CT
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel