maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MUR40010CT
Référence fabricant | MUR40010CT |
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Numéro de pièce future | FT-MUR40010CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUR40010CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 400A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 125A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 90ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Twin Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Twin Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR40010CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR40010CT-FT |
DD98N22KHPSA1
Infineon Technologies
DD98N25KHPSA1
Infineon Technologies
GP2D016A120U
Global Power Technologies Group
GP2D020A060U
Global Power Technologies Group
GP2D024A060U
Global Power Technologies Group
MF400K06F3-BP
Micro Commercial Co
ND175N34KHPSA1
Infineon Technologies
ND89N08KHPSA1
Infineon Technologies
V30D45CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D60CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation