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Cree/Wolfspeed C3M0075120D

Numéro de pièce MFG
C3M0075120D
quantité disponible
95820 Pièces
Prix de référence
USD 19.24
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Date d'expédition
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fabricant
Cree/Wolfspeed
Brève description
C3M™ MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
C3M0075120D.pdf
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C3M0075120D Caractéristiques

Référence fabricant C3M0075120D
Numéro de pièce future FT-C3M0075120D
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries C3M™
C3M0075120D Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 30A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 15V
Vgs (Max) +19V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 1000V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 113.6W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247-3
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
C3M0075120D Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange C3M0075120D-FT

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