maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZX384C3V0-E3-18
Référence fabricant | BZX384C3V0-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZX384C3V0-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C3V0-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C3V0-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX384C3V0-E3-18-FT |
BZX384B7V5-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
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5SGXEA7H3F35I4N
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LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel