maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZX384B8V2-HE3-18
Référence fabricant | BZX384B8V2-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZX384B8V2-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZX384B8V2-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 700nA @ 5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384B8V2-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX384B8V2-HE3-18-FT |
BZX384B39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX15BF14C6N
Intel
LFE3-95E-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40E3SG
Intel
10AX066N4F40I3SGES
Intel
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Intel