maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZX384B39-HE3-08
Référence fabricant | BZX384B39-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZX384B39-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZX384B39-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 130 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 27.3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384B39-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX384B39-HE3-08-FT |
BZX384C12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C18-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C5V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C5V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6
Intel
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC240-3
Intel