maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52C43-HE3-18
Référence fabricant | BZT52C43-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52C43-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C43-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 43V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 32V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C43-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52C43-HE3-18-FT |
BZT52C11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C13-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C13-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C13-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C13-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.