maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52C11-HE3-18
Référence fabricant | BZT52C11-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52C11-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C11-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 6 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 8.5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C11-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52C11-HE3-18-FT |
BZT52B3V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V9-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B43-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B43-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
XC2S50-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
EP3CLS70U484C7
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGSMD8K3F40I3
Intel
5SGXEA7K2F35I3N
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LFE2-20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel