maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZT52B3V9-HE3-08
Référence fabricant | BZT52B3V9-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZT52B3V9-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B3V9-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 410mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B3V9-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT52B3V9-HE3-08-FT |
BZT52B11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B13-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B13-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS30XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N3F40C2LN
Intel
5SGXEA9N2F45C2L
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
XC2V4000-4FF1152I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
EP3SL70F780I4N
Intel