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Référence fabricant | BZT03D11-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BZT03D11-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZT03D11-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8.6V |
Tension - Panne (Min) | 9.9V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 16.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 19.1A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT03D11-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT03D11-TAP-FT |
VESD08-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1B-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD01-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel