maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / VESD08-02V-G-08
Référence fabricant | VESD08-02V-G-08 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VESD08-02V-G-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VESD08-02V-G-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 9V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 30V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 4A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 120W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 35pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VESD08-02V-G-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VESD08-02V-G-08-FT |
824541221
Wurth Electronics Inc.
824541241
Wurth Electronics Inc.
824541261
Wurth Electronics Inc.
824541281
Wurth Electronics Inc.
824541301
Wurth Electronics Inc.
824541361
Wurth Electronics Inc.
824541401
Wurth Electronics Inc.
824541431
Wurth Electronics Inc.
824541451
Wurth Electronics Inc.
824541500
Wurth Electronics Inc.
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C8L
Intel
EP4SGX530KH40C3
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel