maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / BZT03C9V1-TR
Référence fabricant | BZT03C9V1-TR |
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Numéro de pièce future | FT-BZT03C9V1-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZT03C9V1-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 7.5V |
Tension - Panne (Min) | 8.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 13.3V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 22.7A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT03C9V1-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZT03C9V1-TR-FT |
824541481
Wurth Electronics Inc.
824014881
Wurth Electronics Inc.
824012823
Wurth Electronics Inc.
VESD03-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD01-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1B-02V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S200-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
MPF500T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
A54SX16A-2TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-2FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600CB652C8
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel