maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C7V5P-HE3-18
Référence fabricant | BZD27C7V5P-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C7V5P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C7V5P-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 7.5V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 2 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C7V5P-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C7V5P-HE3-18-FT |
BZD27C27P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
XC7S100-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
Microsemi Corporation
XA6SLX16-3CSG225Q
Xilinx Inc.
AGLP125V2-CSG289I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H1F35I2N
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