maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C33P-E3-18
Référence fabricant | BZD27C33P-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C33P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C33P-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 24V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C33P-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C33P-E3-18-FT |
BZD27B9V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6003A-4AC
Microchip Technology
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC7S15-2FTGB196I
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
LFE2-35E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation