maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C6V8P-HE3-08
Référence fabricant | BZD27C6V8P-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C6V8P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C6V8P-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C6V8P-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C6V8P-HE3-08-FT |
BZD27C22P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C22P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C24P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C24P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C24P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C24P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C24P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP2-5E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-PTQ100
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG456I
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
5SGXMA3K2F40C2N
Intel
XC5VLX30-1FF324C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation