maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C33P-M-08
Référence fabricant | BZD27C33P-M-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C33P-M-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C33P-M-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 24V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C33P-M-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C33P-M-08-FT |
BZD27C47P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL010-1VFG256
Microsemi Corporation
10M02SCU169A7G
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
5SGXEA7H3F35C3
Intel
A42MX16-2PLG84I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EPF10K20RC208-4
Intel