maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C4V3P-HE3-08
Référence fabricant | BZD27C4V3P-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C4V3P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C4V3P-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C4V3P-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C4V3P-HE3-08-FT |
BZD27C130P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C130P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C130P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C130P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-1QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
EP4S100G3F45I2N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760I
Xilinx Inc.
XC5VLX330T-2FF1738C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
5AGXBB5D4F35C4N
Intel
EPF10K50SQC208-1X
Intel