maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27B6V8P-M3-18
Référence fabricant | BZD27B6V8P-M3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27B6V8P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B6V8P-M3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B6V8P-M3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27B6V8P-M3-18-FT |
BZD27B30P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B30P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B33P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-09VQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
10CX105YU484E5G
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX155T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F31C6N
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel