maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27B30P-E3-18
Référence fabricant | BZD27B30P-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27B30P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B30P-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 22V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B30P-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27B30P-E3-18-FT |
BZD27B10P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B11P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
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M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
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5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
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Xilinx Inc.
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LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation