maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27B10P-M3-18
Référence fabricant | BZD27B10P-M3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27B10P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B10P-M3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 7µA @ 7.5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B10P-M3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27B10P-M3-18-FT |
BZD27C110P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FG676C
Xilinx Inc.
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N1F45I1SG
Intel
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP1C4F324C8
Intel