maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27B27P-M3-18
Référence fabricant | BZD27B27P-M3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27B27P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B27P-M3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 20V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B27P-M3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27B27P-M3-18-FT |
BZD27B10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B10P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20AF256I8N
Intel
EPF6016AFC256-3
Intel
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC7A75T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation