maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD17C33P-E3-18
Référence fabricant | BZD17C33P-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZD17C33P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD17C33P-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 24V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C33P-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD17C33P-E3-18-FT |
BZD27C68P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C12P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C15P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C11P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C120P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-1PQG208
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-2SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC7D6F27C7N
Intel
EP3C40F484C8N
Intel
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
10AX115S3F45I2SGES
Intel
5AGXBA7D4F35C5N
Intel