maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C68P-E3-18
Référence fabricant | BZD27C68P-E3-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BZD27C68P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C68P-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 68V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 51V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C68P-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C68P-E3-18-FT |
MMSZ5260C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5260C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C16F256C6
Intel
LFXP15C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780I4N
Intel
EP3SL50F780I3N
Intel