maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD17C12P RTG
Référence fabricant | BZD17C12P RTG |
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Numéro de pièce future | FT-BZD17C12P RTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZD17C12P RTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolérance | ±5.41% |
Puissance - Max | 800mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 9.1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C12P RTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD17C12P RTG-FT |
BZD27C16P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C16PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C180P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C180PHRQG
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BZD27C18P RQG
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BZD27C18PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C200P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C200PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C20PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C20PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-1TG144C
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AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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