maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZD27C180PHRQG
Référence fabricant | BZD27C180PHRQG |
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Numéro de pièce future | FT-BZD27C180PHRQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZD27C180PHRQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 179.5V |
Tolérance | ±6.4% |
Puissance - Max | 1W |
Impédance (Max) (Zzt) | 450 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 130V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C180PHRQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZD27C180PHRQG-FT |
BZT52B6V2-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B6V8-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B7V5-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B8V2-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B9V1-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C10-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C11-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C12-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C13-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52C15-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
EP4SGX290KF43C2N
Intel
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation