maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYVB32-50HE3/45
Référence fabricant | BYVB32-50HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-BYVB32-50HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYVB32-50HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 18A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVB32-50HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYVB32-50HE3/45-FT |
VS-MBRB4045CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CTQ150SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHB20FCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CTQ150S
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CTQ150STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CTQ150STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP4CGX30CF23C7N
Intel
5SGSED8N3F45C3N
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP20K200BC356-3
Intel