maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYV42E-200,127
Référence fabricant | BYV42E-200,127 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BYV42E-200,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV42E-200,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 28ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV42E-200,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV42E-200,127-FT |
RFN10T2D
Rohm Semiconductor
RF1601T2D
Rohm Semiconductor
RB088T150FH
Rohm Semiconductor
RB085T-60
Rohm Semiconductor
RF1001T2D
Rohm Semiconductor
RB095T-90
Rohm Semiconductor
RB095T-40
Rohm Semiconductor
RF601T2D
Rohm Semiconductor
RB205T-40
Rohm Semiconductor
RB225T-40
Rohm Semiconductor
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel