maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / RF601T2D
Référence fabricant | RF601T2D |
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Numéro de pièce future | FT-RF601T2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RF601T2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 930mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220FN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF601T2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RF601T2D-FT |
FMB-24H
Sanken
FMB-24L
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FMG-24R
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FML-13S
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FMX-22SL
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FMM-22R
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FMKS-2052
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FMKS-2102
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FMM-26S
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FMU-16S
Sanken
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel