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Référence fabricant | BYV28-600-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BYV28-600-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV28-600-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 210ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-64, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-64 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV28-600-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV28-600-TAP-FT |
LS101A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4150GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel