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Référence fabricant | BYV28-050-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BYV28-050-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV28-050-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-64, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-64 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV28-050-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV28-050-TAP-FT |
BAS86-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS86-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS86-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS86-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV100-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV101-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV101-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV102-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV103-IR08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL101A-13
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel