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Référence fabricant | BAS86-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS86-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS86-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 MiniMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS86-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS86-GS18-FT |
60EPU02
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPU04
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPU06
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA06PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA08PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA25PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel