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Référence fabricant | BYV26D-TR |
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Numéro de pièce future | FT-BYV26D-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV26D-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.5V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV26D-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV26D-TR-FT |
1N5627-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-13TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-13TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-15TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36E-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel