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Référence fabricant | BYM36E-TR |
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Numéro de pièce future | FT-BYM36E-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYM36E-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.78V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-64, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-64 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM36E-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM36E-TR-FT |
BAQ33-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV102-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
CDSL4148-G
Comchip Technology
BA604-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA604-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ33-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ34-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ35-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS81-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS81-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
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XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
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LCMXO1200E-3FTN256C
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10M40DAF256I6G
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XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
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LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
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EP4CE30F29I7
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