maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BAQ34-GS18
Référence fabricant | BAQ34-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAQ34-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAQ34-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1nA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 MiniMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAQ34-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAQ34-GS18-FT |
40EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel