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Référence fabricant | BYV26B-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BYV26B-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV26B-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.5V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV26B-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV26B-TAP-FT |
1N5418TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5624-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5626-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5627-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5627-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-13TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-13TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-15TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel