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Référence fabricant | BYV12-TR |
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Numéro de pièce future | FT-BYV12-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV12-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 300ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV12-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV12-TR-FT |
BYV26A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV27-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5062TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel