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Référence fabricant | BYT56M-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BYT56M-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYT56M-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 100ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-64, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-64 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYT56M-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYT56M-TAP-FT |
BAV202-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV203-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV203-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101C-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103A-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103A-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel