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Référence fabricant | BYT54J-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BYT54J-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYT54J-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 100ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYT54J-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYT54J-TAP-FT |
SF5408-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SF1600-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV26E-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SF1600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5062TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV26E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5061TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV26A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV27-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV27-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel