maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5062TR
Référence fabricant | 1N5062TR |
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Numéro de pièce future | FT-1N5062TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5062TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 2.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 40pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5062TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5062TR-FT |
BYV28-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV28-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5417-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5417TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel