maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYT28B-300HE3/45
Référence fabricant | BYT28B-300HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-BYT28B-300HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYT28B-300HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 300V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYT28B-300HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYT28B-300HE3/45-FT |
VS-MBRB2090CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel