maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-MBRB2535CTR-M3
Référence fabricant | VS-MBRB2535CTR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-MBRB2535CTR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-MBRB2535CTR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 820mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBRB2535CTR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MBRB2535CTR-M3-FT |
VS-25CTQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ035SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
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10AX032E1F27I1HG
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EP20K200EQI208-3
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