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Référence fabricant | BYR5D-1200PJ |
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Numéro de pièce future | FT-BYR5D-1200PJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYR5D-1200PJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.2V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 62ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYR5D-1200PJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYR5D-1200PJ-FT |
APD340VG-G1
Diodes Incorporated
APD340VGTR-E1
Diodes Incorporated
APD340VGTR-G1
Diodes Incorporated
APD360VP-E1
Diodes Incorporated
APD360VPTR-E1
Diodes Incorporated
APD360VPTR-G1
Diodes Incorporated
APD360VRTR-G1
Diodes Incorporated
APT30SCD65B
Microsemi Corporation
AS3BD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel