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Référence fabricant | APD360VP-E1 |
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Numéro de pièce future | FT-APD360VP-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APD360VP-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-27 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APD360VP-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APD360VP-E1-FT |
1N7050UR-1
Microsemi Corporation
1N7051UR-1
Microsemi Corporation
1N7052UR-1
Microsemi Corporation
1N7053UR-1
Microsemi Corporation
1N7054UR-1
Microsemi Corporation
1N7055UR-1
Microsemi Corporation
1PS70SB14F
Nexperia USA Inc.
1SS193S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS355WTE-17
Rohm Semiconductor
1SS388(TL3,F,D)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel