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Référence fabricant | BYR16W-1200Q |
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Numéro de pièce future | FT-BYR16W-1200Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYR16W-1200Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.7V @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 105ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYR16W-1200Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYR16W-1200Q-FT |
APD260VGTR-G1
Diodes Incorporated
APD340VG-E1
Diodes Incorporated
APD340VG-G1
Diodes Incorporated
APD340VGTR-E1
Diodes Incorporated
APD340VGTR-G1
Diodes Incorporated
APD360VP-E1
Diodes Incorporated
APD360VPTR-E1
Diodes Incorporated
APD360VPTR-G1
Diodes Incorporated
APD360VRTR-G1
Diodes Incorporated
APT30SCD65B
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation